Nat Rlich Schwanger Mit Dem Hermeneus

50 positive affirmationen für ausländer klingt Besser verfugen mit 10 fragen

Der Körper -2, (TO-5 - ausländisch,, hermetisiert vom Elektrokontaktschweißen, ist nach der Konstruktion dem Körper -1 ähnlich und hat nur wenige die großen Umfänge. Seine Konstruktion verfügt über solche Zuverlässigkeit, unterscheidet sich durch solche Einfachheit und die Fertigungsgerechtheit der Konstruktion, wie auch den Körper Kt - In diesem Körper kann man alle existierenden Typen der Übergänge der schwachen Transistoren, sowie die Kieseltransistoren der mittleren Macht (bis zu 5) vorbehaltlich der Nutzung zusätzlich aufstellen.

Die Aufgabe: barriere- ( die Kapazitäten und die Größen der Oberfläche kollektor- und der Übergänge, und ebenso die geometrischen Umfänge der Halbleiterplatte Zu bestimmen, in der sich die Transistorstruktur entwickelt.

Im Endeffekt sollen es alle geometrischen und elektrophysischen Parameter, die für die Erfüllung dem Konstruktions- und Hauptteil der technologischen Dokumentation notwendig sind gibt. Besonders betrifft es den Bestand, und des Lots.

Ein Ziel der Arbeit am Projekt ist der Erwerb der Fertigkeiten der Lösung der ingenieurmässigen Aufgaben der Bildung der diskreten Halbleitergeräte, die Vertiefung des Wissens der Prozesse und konstruktiv der technologischen Besonderheiten der bipolaren schwachen Transistoren.

Infolge der Berechnung sollen die elektrophysischen und geometrischen Parameter der Transistorstruktur, die Parameter des äquivalenten T-bildlichen Schemas des Transistors nach dem Wechselstrom, seine Betriebsparameter bestimmt sein. Der Teil der elektrophysischen und geometrischen Parameter protzt bei der Berechnung ausgehend von den Gründen der Nomenklaturordnung. Ende Berechnung kommt der Typ des Körpers des Transistors heraus.

Die Möglichkeit der Montage im Körper der Planar- oder splawno-Diffusionsstruktur ist vorgeführt, wenn der Kristall mit der Kollektorelektrode unmittelbar auf den Flansch der Gründung erfüllt wird. Dabei kann der Kristall die maximalen Umfänge 3,5 3,5 mm haben.

Ein Hauptelement der Konstruktion des Transistors ist der Kristall, oder die Transistorstruktur des Kristalls, die die Halbleiterplatte mit gebildet auf ihr () und kollektor- () den Übergängen darstellt. Andere Elemente der Konstruktion sind der Körper,, die Schlussfolgerungen.

Die Randfrequenzen des Koeffizienten der Sendung des Stromes f = 90 MHz, die berechnete Bedeutung f = 103,73 MHz. Bei der Arbeit des bipolaren Transistors auf der Frequenz bis zu f wird der Koeffizient der Sendung des Stromes im Schema mit ÜBER dem Vorgabewert befriedigen.

Konstruktiv besteht der Körper aus zwei Hauptelementen: der Gründung und des Ballons. Die Gründung schließt ein: der Flansch, den Isolator und die Schlussfolgerungen. Der Ballon stellt die Tasse mit dem Flansch dar. Für die schwachen bipolaren Transistoren am meisten herankommend die Körper der Typen -1 und Kt -

Der Körper -1,, hermetisiert vom Elektrokontaktschweißen. Der Flansch der Gründung stellt die metallische Tasse dar, die das Glas gefüllt ist (den Isolator), durch die die Schlussfolgerungen gehen, die den Flansch für die Kapselung das Elektrokontaktschweißen haben. Der Körper hat körper- die Schlussfolgerung, die zum Grund des Flansches geschweisst ist. Der Ballon des Körpers stellt den hohlen Zylinder mit dem Grund dar, der auf den Außendurchmesser der Tasse des Flansches angezogen wird.

Der vorliegende Körper hat die breite Anwendung im Ausland wie für schwach und der mittleren Macht (bis zu 5 Wt) der Transistoren, als auch für die integrierten Schaltkreise gefunden. Ein Mangel der Körper -1 und -2 ist die Möglichkeit der Gasentwicklung in den inneren Umfang des Körpers bei der Kapselung. Es ist der Mangel alle der Körper, aber er wird von der Anwendung des Schutzes und der Strukturen von verschiedenen Lacken,, überwunden.